类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 2 Pin |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 2.80 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 30 W |
输入电容 | 225 pF |
栅电荷 | 6.00 nC |
漏源极电压(Vds) | 400 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 225pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 30 W |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3N40TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3N40TM, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
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