类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -15.0 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 100 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 42 W |
输入电容 | 759 pF |
栅电荷 | 15.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -15.0 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 759pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.6 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道PowerTrench MOSFET 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5614P 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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