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FDD5614P
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FDD5614P 数据手册 (6 页)
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FDD5614P 技术参数、封装参数

FDD5614P 外形尺寸、物理参数、其它

FDD5614P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.52 MByte

FDD5614 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道PowerTrench MOSFET 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5614P  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
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