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FDD5680 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
TO-252-3
描述:
FDD5680: N 沟道,PowerTrench MOSFET,38A,21mΩ
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDD5680 数据手册
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FDD5680 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
1835pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60000 mW
FDD5680 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃
FDD5680 符合标准
FDD5680 数据手册
FDD5680
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
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示例:
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