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FDD5690
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FDD5690 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5690  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:FDD5690 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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FDD5690 数据手册 (6 页)
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FDD5690 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流30.0 A
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.023 Ω
极性N-Channel
功耗3.2 W
阈值电压2.5 V
输入电容1.11 nF
栅电荷23.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)1110pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.2W (Ta), 50W (Tc)
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FDD5690 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.39 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDD5690 数据手册

FDD5690 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.34 MByte
FDD5690 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.86 MByte
FDD5690 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte
FDD5690 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
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