FDD6612A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDD6612A 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	30.0 V
额定电流	30.0 A
封装	TO-252-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	20 mΩ
极性	N-Channel
功耗	36 W
阈值电压	2 V
输入电容	660 pF
栅电荷	6.70 nC
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30.0 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	30.0 A
上升时间	5 ns
输入电容值(Ciss)	660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	1.3 W
下降时间	4 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	36 W

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FDD6612A 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDD6612A 符合标准

FDD6612A 海关信息

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FDD6612A 产品设计图

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FDD6612A 产品修订记录

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