| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 76.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 70W (Ta) |
| 输入电容 | 1.58 nF |
| 栅电荷 | 29.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 76.0 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1580pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 耗散功率(Max) | 70W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6670A, 66 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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