类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0077 Ω |
功耗 | 3.3 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 1230pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.5 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 56 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.3 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6690A, 46 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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