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FDD6N20TM
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FDD6N20TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDD6N20TM 数据手册 (14 页)
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焊盘图
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FDD6N20TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.6 Ω
极性N-Channel
功耗40 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间5.6 ns
输入电容值(Ciss)230pF @25V(Vds)
额定功率(Max)40 W
下降时间12.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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FDD6N20TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDD6N20TM 数据手册

FDD6N20TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
14 页 / 0.28 MByte
FDD6N20TM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FDD6N20TM 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte
FDD6N20TM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

FDD6N20 数据手册

FDD6N20TM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V
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