| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 50 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.9 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 250 pF |
| 栅电荷 | 6.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.40 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 250pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 250 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
FDD6N25 系列 250 V 1.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet D-PAK
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250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
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