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FDD8424H
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FDD8424H 数据手册 (12 页)
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FDD8424H 技术参数、封装参数

FDD8424H 外形尺寸、物理参数、其它

FDD8424H 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.41 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

FDD8424 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8424H  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDD8424H, 6.5 A,9 A, Vds=40 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDD8424H-F085A, 20 A, Vds=40 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道MOSFET PowerTrench® N通道: 40V , 20A , 24mÎ © P通道: -40V , -20A , 54mÎ © Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ P-Channel: -40V, -20A, 54mΩ
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