| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.007 Ω |
| 功耗 | 3.1 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1970pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 44 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
汽车 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.58 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.65 MByte
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 0.52 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L, 57 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET PowerTrench® 40V ， 50A ， 11.0MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 11.0mΩ
Fairchild（飞兆/仙童）
40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 40V ， 50A ， 8.5米ヘ 40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.5mヘ
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
