类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 54.0 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 7 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.8 W |
阈值电压 | 1.9 V |
输入电容 | 1.97 nF |
栅电荷 | 52.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 15.2 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 1970pF @20V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.3 W |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 44 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.58 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.5 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L, 57 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 40V , 50A , 11.0MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 11.0mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 40V , 50A , 8.5米ヘ 40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.5mヘ
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件