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FDD8586
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FDD8586 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM
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FDD8586 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)20.0 V
额定电流35.0 A
封装TO-252-3
漏源极电阻4.00 mΩ
极性N-Channel
功耗77 W
输入电容2.48 nF
栅电荷48.0 nC
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)35.0 A
上升时间11.0 ns
输入电容值(Ciss)2480pF @10V(Vds)
额定功率(Max)77 W
耗散功率(Max)77W (Tc)
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FDD8586 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDD8586 数据手册

FDD8586 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
11 页 / 0.27 MByte
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