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FDD86367
来自 AiPCBA

FDD86367 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-252
描述:FDD86367: N 沟道 PowerTrench MOSFET 80 V，100 A，4.2 mΩ
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDD86367 数据手册
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FDD86367 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252
功耗227000 mW
上升时间49 ns
输入电容值(Ciss)4840pF @40V(Vds)
下降时间16 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)227000 mW

FDD86367 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
器件 Datasheet 文档搜索
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