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FDD86369
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FDD86369 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-252-3
描述:FDD86369: N 沟道，PowerTrench MOSFET，80V，90A，7.9mΩ
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDD86369 数据手册
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FDD86369 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗150000 mW
漏源极电压(Vds)80 V
上升时间34 ns
输入电容值(Ciss)2530pF @40V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150000 mW

FDD86369 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD86369 数据手册

FDD86369 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 1.03 MByte
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