FDFMA2P029Z 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	MicroFET-6
描述:	P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:	FDFMA2P029Z 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FDFMA2P029Z 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDFMA2P029Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	6 Pin
额定电压(DC)	-20.0 V
额定电流	-3.10 A
封装	MicroFET-6
通道数	1 Channel
漏源极电阻	95.0 mΩ
极性	P-Channel
功耗	1.4 W
输入电容	720 pF
栅电荷	10.0 nC
漏源极电压(Vds)	20 V
连续漏极电流(Ids)	-3.10 A
上升时间	11 ns
输入电容值(Ciss)	720pF @10V(Vds)
额定功率(Max)	700 mW
下降时间	36 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1.4 W

查看数据手册 >

FDFMA2P029Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2 mm
宽度	2 mm
高度	0.75 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDFMA2P029Z 符合标准

FDFMA2P029Z 海关信息

FDFMA2P029Z 概述

FDFMA2P029Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.37 MByte

FDFMA2P029Z 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.5 MByte

FDFMA2P029Z 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDFMA2P029 数据手册

FDFMA2P029Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDFMA2P029Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDFMA2P029Z-F106 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDFMA2P029Z: 集成式 P 沟道，Power Trench? MOSFET 和肖特基二极管，-20V，3.1A，95mΩ

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号