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FDFME3N311ZT
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FDFME3N311ZT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:MicroFET-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFME3N311ZT  场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V
PDF文件:FDFME3N311ZT 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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FDFME3N311ZT 数据手册 (9 页)
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FDFME3N311ZT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装MicroFET-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.299 Ω
极性N-Channel
功耗500 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)1.60 A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)75pF @15V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间1.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.4W (Ta)
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FDFME3N311ZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度1.6 mm
高度0.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDFME3N311ZT 数据手册

FDFME3N311ZT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.32 MByte
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FDFME3N311 数据手册

FDFME3N311ZT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFME3N311ZT  场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V
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