| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | MLP |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 55pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 1.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Last Time Buy |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.6 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor
●设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
●独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFME3N311ZT 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFME3N311ZT, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
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