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FDFS2P106A
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FDFS2P106A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:SOIC-8
描述:FDFS2P106A: 集成式 P 沟道，Power Trench MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3.0 A，110mΩ
PDF文件:FDFS2P106A 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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FDFS2P106A 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
功耗2 W
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)714pF @30V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间8.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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FDFS2P106A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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FDFS2P106A 数据手册

FDFS2P106A 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.08 MByte
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FDFS2P106A: 集成式 P 沟道，Power Trench MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3.0 A，110mΩ
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