| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.50 A |
| 封装 | SC-70-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 140 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 750 mW |
| 输入电容 | 467 pF |
| 栅电荷 | 4.40 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 467pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 480 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 750mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.105Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 750mW/0.75W Description & Applications| • Low gate charge (3.5nC typical). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| •低栅极电荷（3.5nC典型值） •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
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P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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