| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 1.50 A |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.057 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 420 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 输入电容 | 423 pF |
| 栅电荷 | 4.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 6.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 423pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 380 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 140mΩ@ VGS = 1.8V, ID =1.2A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4~1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 420mW/0.42W Description & Applications| 20V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications. Applications • Load switch • Power management • DC/DC converter Features Fast switching speed Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability. 描述与应用| 20V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。这些器件非常适合用于便携式电子产品应用。 应用 •负荷开关 •电源管理 •DC/ DC转换器 特点 开关速度快 低栅极电荷 高性能沟道技术极低的RDS（ON） 高功率和电流处理能力。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.057 ohm, 4.5 V, 700 mV
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327N, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327NZ, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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