| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SC-70-6 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 0.3 W |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.22A |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9.5pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
汽车双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6301N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV
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