| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -25.0 V |
| 额定电流 | -410 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.85 Ω |
| 极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 输入电容 | 62.0 pF |
| 栅电荷 | 1.10 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | -25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -410 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 62pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -410mA/-0.41A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.5Ω@ VGS = -2.7V, ID = -250mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.65~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Dual P-Channel, Digital FET General Description These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits . Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| 双N沟道，数字FET 概述 这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术生产。这非常高密度的过程特别是针对减少通态电阻。该器件设计，尤其是作为一个替代双极数字晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。 特点 非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3 V电路。 紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装。
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双P沟道FET的数字 Dual P-Channel, Digital FET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6304P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mV
ON Semiconductor（安森美）
场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷
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