| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.85 Ω |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 820 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 62pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双P沟道FET的数字 Dual P-Channel, Digital FET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6304P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mV
ON Semiconductor（安森美）
场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷
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