| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.3 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 输入电容 | 114 pF |
| 栅电荷 | 1.40 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 600 mA |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 114pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 1.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -600mA/-0.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 630mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -500mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Applications · Battery management · Load switch Features · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) · Compact industry standard SC70-6 surface mount package 描述与应用| P沟道2.5V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道2.5V指定MOSFET是一种坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化的电源管理应用广泛的栅极驱动电压（2.5V - 12V）。 应用 ·电池管理 ·负荷开关 特点 ·低栅极电荷 ·高性能沟槽技术非常低的RDS（ON） ·紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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