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FDG6320C
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FDG6320C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6320C, 140 mA，220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
PDF文件:FDG6320C 数据手册 (21 页)封装尺寸在1 页
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FDG6320C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻4 Ω
功耗300 mW
阈值电压850 mV
漏源极电压(Vds)25 V
输入电容值(Ciss)9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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FDG6320C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDG6320C 数据手册

FDG6320C 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
21 页 / 0.42 MByte
FDG6320C 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.07 MByte
FDG6320C 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.71 MByte

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