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FDG6320C
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FDG6320C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6320C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
PDF文件:FDG6320C 数据手册 (9 页)
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FDG6320C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电流220 mA
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻4 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗300 mW
阈值电压850 mV
输入电容12.0 pF
栅电荷220 pC
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25.0 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)220 mA
上升时间8.00 ns
输入电容值(Ciss)9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.3 W
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FDG6320C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDG6320C 数据手册

FDG6320C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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FDG6320 数据手册

FDG6320C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6320C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
FDG6320C 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6320C, 140 mA，220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
FDG6320C_D87Z 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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