| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电流 | 700 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 1.1 V |
| 输入电容 | 114 pF |
| 栅电荷 | 1.40 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | ±20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 700 mA |
| 上升时间 | 14.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 113pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6332C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6332C_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6332C, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6332C-F085, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚
ON Semiconductor（安森美）
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.18Ω, 700mA, SC-70-6
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6332C"F085 场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.18Ω, 700mA, SC-70-6
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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