| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 功耗 | 380 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30V, 25V |
| 输入电容值(Ciss) | 120pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
N/P 通道双 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.44 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.55 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.71 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG8842CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 750 mA, 30 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG8842CZ, 410 mA，750 mA, Vds=25 V，30 V, 6引脚
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