类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 3.70 A |
封装 | WDFN-6 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.068 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.4 W |
阈值电压 | 1 V |
输入电容 | 340 pF |
栅电荷 | 6.00 nC |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
栅源击穿电压 | ±12.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.70 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 340pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
下降时间 | 3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.4 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 2 mm |
高度 | 0.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.45 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 1.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1028NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMA1028NZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
ON Semiconductor(安森美)
FDMA1028NZ: 双 N 沟道 PowerTrench? MOSFET 20V,3.7A,68mΩ
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件