| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.10 A |
| 封装 | WDFN-6 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.4 W |
| 阈值电压 | 12 V |
| 输入电容 | 540 pF |
| 栅电荷 | 10.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.10 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 540pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 36 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 2 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1029PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.06 ohm, -1 V, 1 V
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