| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -6.60 A |
| 封装 | WDFN-6 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.036 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.4 W |
| 输入电容 | 1.00 nF |
| 栅电荷 | 14.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.60 A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1000pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.4W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 2 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA291P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -20 V, 0.036 ohm, -700 mV, -700 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
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