| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | UDFN |
| 功耗 | 2.4 W |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 935pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 3.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 9.5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
ON Semiconductor（安森美）
FDMA410NZT: 超薄 N 沟道，1.5 V，PowerTrench? MOSFET，20V，9.5A，23mΩ
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