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FDMA507PZ
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FDMA507PZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:WDFN-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA507PZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6
PDF文件:FDMA507PZ 数据手册 (7 页)
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FDMA507PZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装WDFN-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.019 Ω
极性P-Channel
功耗2.4 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)7.8A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)2015pF @10V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间96 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.4W (Ta)
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FDMA507PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDMA507PZ 数据手册

FDMA507PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.29 MByte
FDMA507PZ 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.4 MByte
FDMA507PZ 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.24 MByte

FDMA507 数据手册

FDMA507PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA507PZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6
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ON Semiconductor（安森美）
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6
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