| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | MLP-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.032 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.80 A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 465pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.9 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMB3800N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.8 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.8 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.9 V
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