FDMC2514SDC 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	PQFN-8
描述:	PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMC2514SDC 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	PQFN-8
漏源极电阻	0.0025 Ω
极性	N-Channel
功耗	60 W
阈值电压	1.7 V
漏源极电压(Vds)	25 V
连续漏极电流(Ids)	24A
上升时间	3.6 ns
输入电容值(Ciss)	2705pF @13V(Vds)
额定功率(Max)	3 W
下降时间	3 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	3W (Ta), 60W (Tc)

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FDMC2514SDC 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	3.3 mm
宽度	3.3 mm
高度	0.95 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2514SDC, 106 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装

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