| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -150 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | PowerWDFN-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 42 W |
| 阈值电压 | 3.8 V |
| 输入电容 | 270 pF |
| 栅电荷 | 9.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC2523P 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -150 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.8 V
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P沟道QFET -150V ， -3A ， 1.5ヘ P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
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P沟道QFET® -150V ， -3A ， 1.5I © P-Channel QFET® -150V, -3A, 1.5Ω
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