类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | Power-33-8 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 7 mΩ |
功耗 | 2.3 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.3 mm |
宽度 | 3.3 mm |
高度 | 0.8 mm |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDMC7672: 30V N沟道PowerTrench? MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7672S, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
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