FDMC86116LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	PowerWDFN-8
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMC86116LZ 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	PowerWDFN-8
极性	N-CH
功耗	2.3 W
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	3.3A
输入电容值(Ciss)	310pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	2.3 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2.3W (Ta), 19W (Tc)

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FDMC86116LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	3.3 mm
宽度	3.3 mm
高度	0.75 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ON Semiconductor（安森美）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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