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FDME1023PZT
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FDME1023PZT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:UFDFN-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1023PZT  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.095 ohm, -4.5 V, -600 mV
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FDME1023PZT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装UFDFN-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.095 Ω
极性Dual P-Channel
功耗1.4 W
阈值电压0.6 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
连续漏极电流(Ids)2.3A
上升时间4.8 ns
输入电容值(Ciss)405pF @10V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.4 W
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FDME1023PZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度1.6 mm
高度0.5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDME1023PZT 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1023PZT  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.095 ohm, -4.5 V, -600 mV
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDME1023PZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
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