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FDME1024NZT
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FDME1024NZT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:MicroFET-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1024NZT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
PDF文件:FDME1024NZT 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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FDME1024NZT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装MicroFET-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.055 Ω
极性Dual N-Channel
功耗1.4 W
阈值电压700 mV
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
连续漏极电流(Ids)3.8A
上升时间2 ns
输入电容值(Ciss)225pF @10V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间1.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1400 mW
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FDME1024NZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度1.6 mm
高度0.5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDME1024NZT 数据手册

FDME1024NZT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.33 MByte
FDME1024NZT 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.33 MByte
FDME1024NZT 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.17 MByte

FDME1024 数据手册

FDME1024NZT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1024NZT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
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