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FDMQ8203 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
MOS管
封装:
QFN
描述:
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 100 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDMQ8203 数据手册
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FDMQ8203 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
12 Pin
封装
QFN
针脚数
12 Position
漏源极电阻
0.085 Ω
功耗
22 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
100 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW
FDMQ8203 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃
FDMQ8203 符合标准
FDMQ8203 概述
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 100V,80V 3.4A,2.6A 2.5W 表面贴装型 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ8203 数据手册
FDMQ8203
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ON Semiconductor(安森美)
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