FDMS037N08B 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	Power-56-8
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS037N08B 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	Power-56-8
极性	N-CH
功耗	0.83 W
漏源极电压(Vds)	75 V
连续漏极电流(Ids)	19.9A
上升时间	20.1 ns
输入电容值(Ciss)	5915pF @37.5V(Vds)
下降时间	19.4 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	830mW (Ta), 104.2W (Tc)

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FDMS037N08B 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5.1 mm
宽度	6.25 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMS037N08B 符合标准

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FDMS037N08 数据手册

FDMS037N08B 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS037N08B 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS037N08B, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 Power 56封装

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