类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PQFN |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0006 Ω |
功耗 | 3.3 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 28 ns |
输入电容值(Ciss) | 11100pF @15V(Vds) |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4.85 mm |
高度 | 1.04 mm |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7650 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7650DC 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0006 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 30 V , 100 A , 0.99 MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 mΩ
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