| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerTDFN-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.006 Ω |
| 功耗 | 3.2 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 输入电容 | 3135 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2354pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.2 W |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86101 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 2.7 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86101A 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3.1 V
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