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FDMS86183 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
QFN
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 100 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3.2 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDMS86183 数据手册
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FDMS86183 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
QFN
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0099 Ω
功耗
63 W
阈值电压
3.2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
1080pF @50V(Vds)
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW
FDMS86183 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
FDMS86183 符合标准
FDMS86183 海关信息
FDMS86183 概述
表面贴装型 N 通道 100 V 51A(Tc) 63W(Tc) 8-PQFN(5x6)
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FDMS86183 数据手册
FDMS86183
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ON Semiconductor(安森美)
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