FDMS86263P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	Power-56-8
描述:	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS86263P 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	Power-56-8
极性	P-CH
功耗	2.5 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	150 V
连续漏极电流(Ids)	4.4A
输入电容值(Ciss)	3905pF @75V(Vds)
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)

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FDMS86263P 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5 mm
宽度	5.85 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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