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FDMT80060DC
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FDMT80060DC 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:PQFN-8
PDF文件:FDMT80060DC 数据手册 (10 页)
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焊盘图
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FDMT80060DC 数据手册 (10 页)
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FDMT80060DC 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PQFN-8
极性N-CH
功耗156 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)43A
上升时间47 ns
输入电容值(Ciss)20170pF @30V(Vds)
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.2W (Ta), 156W (Tc)
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FDMT80060DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDMT80060DC 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 292 A, 60 V, 0.00087 ohm, 10 V, 3.5 V
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