| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -2.40 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 52 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 1.31 nF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1312pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.036Ω @-2.4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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